IGBT-MOS-GTO

Transistor bipolaire à grille isolée plus communément appelé IGBT ou transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET, sont des dispositifs de semi-conducteurs de la famille des transistors.
Ils sont utilisés comme interrupteurs électroniques, principalement dans les montages de l’électronique de puissance.

Les GTO ont été optimisés pour éviter des pertes de conduction. La fréquence typique de commutation marche-arrêt se situe entre 200 – 500 hertz pour la plupart des applications. Les GTO sont par nature des commutateurs relativement lents par rapport aux transistors. Les temps typiques de transition de l’état de marche à l’état d’arrêt et vice versa existe de 10 à 30 micro-secondes. Tous les GTO ont besoin de réseaux de protection appelés les « séparateurs » pour l’ouverture et la fermeture. Le circuit séparateur d’ouverture, particulièrement l’inducteur, limite le taux d’élévation du courant. Pour l’arrêt, le GTO exige un dispositif qui limite le taux d’élévation de tension: le plus courant est un condensateur.

Notre gamme complète de GTO  : 500A à plus de 4000A et 2500V à plus de 6500V.